igbt发展历史 1979年，mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类ag尊龙app-kb88凯时官网登录的结构（p-n-p-n四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了v形槽栅。
80年代初期，用于功率mosfet制造技术的dmos（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到igbt中来。[2]在那个时候，硅ag尊龙app-kb88凯时官网登录的结构是一种较厚的npt（非穿通）型设计。后来，通过采用pt（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n 缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用pt设计的外延片上制备的dmos平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的igbt，它是采用从大规模集成（lsi）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（pt）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（npt）结构，继而变化成弱穿通（lpt）结构，这就使安全工作区（soa）得到同表面栅结构演变类似的改善。
这次从穿通（pt）型技术先进到非穿通（npt）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（pt）技术会有比较高的注入系数，而由于它要求对ag尊龙app-kb88凯时官网登录进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（npt）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（npt）技术又被软穿通（lpt）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（spt）或“电场截止”（fs）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。
1996年，cstbt（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代igbt模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（lpt）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的igbt器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。
igbt功率模块采用ic驱动，各种驱动保护电路，高性能igbt芯片，新型封装技术，从复合功率模块pim发展到智能功率模块ipm、电力电子积木pebb、电力模块ipem。pim向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800a/1800—3300v，ipm除用于变频调速外，600a/2000v的ipm已用于电力机车vvvfag尊龙app-kb88凯时官网登录。平面低ag尊龙app-kb88凯时官网登录封装技术是大电流igbt模块为ag尊龙app-kb88凯时官网登录的pebb，用于舰艇上的导弹发射装置。ipem采用共烧瓷片多芯片模块技术组装pebb，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代ipem，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为igbt发展热点。
现在,大电流高电压的igbt已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的igbt专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及ag尊龙app-kb88凯时官网登录更小。
